型号:SI5905DC-T1-E3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SMD,扁平引线 | 描述:MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 90 毫欧 @ 3A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 450mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 9nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
深圳市维基鸿电子有限公司 | 米小姐,黄小姐19520735817/13148740183 |
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